FDMD84100
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDMD84100 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.08 |
10+ | $2.762 |
100+ | $2.263 |
500+ | $1.9264 |
1000+ | $1.6247 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | Power 3.3x5 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7A, 10V |
Leistung - max | 2.1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Grundproduktnummer | FDMD84 |
FDMD84100 Einzelheiten PDF [English] | FDMD84100 PDF - EN.pdf |
FET ENGR DEV-NOT REL
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDMD84100onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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